Estudio de la morfología y calidad cristalina de ZnSe monocristalino

Contenido principal del artículo

Javier L. M. Nuñez García
Adriano Geraci
Alfredo Tolley
María C. Di Stefano
Eduardo Cabanillas
Ana M. Martínez
Raúl D'Elía
Eduardo Heredia
Alicia B. Trigubo

Resumen

Se estudia la calidad cristalina de una oblea comercial monocristalina de ZnSe (Cradley Crystals) combinando diferentes técnicas. Se utiliza microscopía óptica para la observación de defectos macroscópicos y figuras de corrosión obtenidas por revelado químico de la misma y microscopía electrónica de transmisión para determinar su calidad estructural, también se evalúa su transmitancia óptica por su aplicación en ventanas infrarrojas. Una presencia pequeña de defectos macroscópicos, un orden estructural notable entre dislocaciones y la baja densidad de dislocaciones y desorientación angular halladas entre subgranos adyacentes confirman una adecuada calidad cristalina para el empleo de este material en dispositivos optoelectrónicos.

Descargas

Los datos de descargas todavía no están disponibles.

Detalles del artículo

Cómo citar
Nuñez García, J. L. M., Geraci, A., Tolley, A., Di Stefano, M. C., Cabanillas, E., Martínez, A. M., D’Elía, R., Heredia, E., & Trigubo, A. B. (2014). Estudio de la morfología y calidad cristalina de ZnSe monocristalino. Revista De Ciencia Y Tecnología, 21(1), 65–69. Recuperado a partir de https://www.fceqyn.unam.edu.ar/recyt/index.php/recyt/article/view/632
Sección
Ingeniería, Tecnología e Informática

Citas

Yoneta M., Nanami K., Uechi H., Ohishi M., Saito H., Yoshino K., “Epitaxial gowth and characterization of Cl doped ZnSe layer by MBE”. J Cryst. Growh, Vol. 237-239, p. 1545-1549, 2002.

Li Huanyong, Jie Wanqi, “Growth and characterization of bulk ZnSe single crystal by chemical vapour transport”. J Cryst. Growh Vol. 257, p. 110-115, 2003.

Sangwall K., “Etching of Crystals. Theory, Experiment and Application”; Elsevier North-Holland, Amsterdan, 1987.

Ebina A., Asano K., Takahashi T., “Crystallographic polarity and ething behaviour of ZnSe”, Jap. J. Appl. Phys. Vol. 16(9), p. 1563-1570, 1977.

Maruyama Kenji, Suto Ken, Nishizawa Jun-ichi, “ZnSe horizontal traveling solvent growth using selenium solution”, J Cryst. Growh, Vol. 216(1-4), p. 113-118, 2000.

Trigubó A. B., Di Stefano M. C., D´Elía R., Cánepa H., Heredia E., Aguirre M. H., “Calidad cristalina del ZnSe obtenido por transporte químico con I2 como portador gaseoso”; Superficies y Vacío Vol. 20(3), p.21-25, 2007.

Read W.T., “Dislocations in crystals”; Mc Graw Hill, Nueva York, 1953.

Wang J. F., Omino A., Isshiki M., “Melt growth of twin free ZnSe single crystals” J. Cryst. Growth, Vol. 214-215(1-4), p. 875-879, 2000.

Trigubó A. B., Di Stefano M. C., Gilabert U., Martínez A.M., D´Elía R., Cánepa H., Heredia E., Aguirre M. H., “TEM, Chemical Etching and FTIR Characterization of ZnTe Grown by Physical Vapor Transport”; Crystal Research and Technology, Vol. 45(8), p. 817-824, 2010.

Trigubó A. B., D´Elía R., Heredia E., Comunicación Personal.

Contador de visualizaciones: Resumen : 36 vistas.